CSD17505Q5A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CSD17505Q5A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1030 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпуса: SON5X6
Аналог (замена) для CSD17505Q5A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CSD17505Q5A даташит
csd17505q5a.pdf
CSD17505Q5A www.ti.com SLPS301A DECEMBER 2010 REVISED JULY 2011 30V, N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD17505Q5A PRODUCT SUMMARY 1 FEATURES TA = 25 C unless otherwise stated TYPICAL VALUE UNIT 2 Ultralow Qg and Qgd VDS Drain to Source Voltage 30 V Low Thermal Resistance Qg Gate Charge Total (4.5V) 10 nC Avalanche Rated Qgd Gate Charge Gate to
csd17501q5a.pdf
CSD17501Q5A www.ti.com SLPS303B DECEMBER 2010 REVISED SEPTEMBER 2012 30V, N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD17501Q5A PRODUCT SUMMARY 1 FEATURES TA = 25 C unless otherwise stated TYPICAL VALUE UNIT 2 Ultralow Qg and Qgd VDS Drain to Source Voltage 30 V Low Thermal Resistance Qg Gate Charge Total (4.5V) 13.2 nC Avalanche Rated Qgd Gate Charge
csd17507q5a.pdf
CSD17507Q5A www.ti.com SLPS243E JULY 2010 REVISED JULY 2011 30V, N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD17507Q5A PRODUCT SUMMARY 1 FEATURES VDS Drain to Source Voltage 30 V 2 Ultralow Qg and Qgd Qg Gate Charge Total (4.5V) 2.8 nC Low Thermal Resistance Qgd Gate Charge Gate to Drain 0.7 nC Avalanche Rated VGS = 4.5V 11.8 m RDS(on) Drain to Sour
csd17506q5a.pdf
CSD17506Q5A www.ti.com SLPS304B DECEMBER 2010 REVISED JUNE 2012 30V, N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD17506Q5A PRODUCT SUMMARY 1 FEATURES TA = 25 C unless otherwise stated TYPICAL VALUE UNIT 2 Ultralow Qg and Qgd VDS Drain to Source Voltage 30 V Low Thermal Resistance Qg Gate Charge Total (4.5V) 8.3 nC Avalanche Rated Qgd Gate Charge Gat
Другие MOSFET... CSD17313Q2 , CSD17313Q2Q1 , CSD17322Q5A , CSD17327Q5A , CSD17381F4 , CSD17483F4 , CSD17484F4 , CSD17501Q5A , IRFP450 , CSD17506Q5A , CSD17507Q5A , CSD17510Q5A , CSD17522Q5A , CSD17527Q5A , CSD17551Q3A , CSD17551Q5A , CSD17552Q3A .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649




