Справочник MOSFET. CSD17506Q5A

 

CSD17506Q5A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CSD17506Q5A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.8 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 23 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 8.3 nC
   Время нарастания (tr): 13 ns
   Выходная емкость (Cd): 860 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm
   Тип корпуса: SON5X6

 Аналог (замена) для CSD17506Q5A

 

 

CSD17506Q5A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:528K  texas
csd17506q5a.pdf

CSD17506Q5A CSD17506Q5A

CSD17506Q5Awww.ti.com SLPS304B DECEMBER 2010 REVISED JUNE 201230V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17506Q5APRODUCT SUMMARY1FEATURESTA = 25C unless otherwise stated TYPICAL VALUE UNIT2 Ultralow Qg and QgdVDS Drain to Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5V) 8.3 nC Avalanche RatedQgd Gate Charge Gat

 7.1. Size:487K  texas
csd17501q5a.pdf

CSD17506Q5A CSD17506Q5A

CSD17501Q5Awww.ti.com SLPS303B DECEMBER 2010 REVISED SEPTEMBER 201230V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17501Q5APRODUCT SUMMARY1FEATURESTA = 25C unless otherwise stated TYPICAL VALUE UNIT2 Ultralow Qg and QgdVDS Drain to Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5V) 13.2 nC Avalanche RatedQgd Gate Charge

 7.2. Size:504K  texas
csd17505q5a.pdf

CSD17506Q5A CSD17506Q5A

CSD17505Q5Awww.ti.com SLPS301A DECEMBER 2010REVISED JULY 201130V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17505Q5APRODUCT SUMMARY1FEATURESTA = 25C unless otherwise stated TYPICAL VALUE UNIT2 Ultralow Qg and QgdVDS Drain to Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5V) 10 nC Avalanche RatedQgd Gate Charge Gate to

 7.3. Size:884K  texas
csd17507q5a.pdf

CSD17506Q5A CSD17506Q5A

CSD17507Q5Awww.ti.com SLPS243E JULY 2010REVISED JULY 201130V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17507Q5APRODUCT SUMMARY1FEATURESVDS Drain to Source Voltage 30 V2 Ultralow Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 2.8 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 0.7 nC Avalanche RatedVGS = 4.5V 11.8 mRDS(on) Drain to Sour

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top