CSD17510Q5A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD17510Q5A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: SON5X6 SUPERSO8

Аналог (замена) для CSD17510Q5A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD17510Q5A даташит

 ..1. Size:863K  texas
csd17510q5a.pdfpdf_icon

CSD17510Q5A

CSD17510Q5A www.ti.com SLPS271G JULY 2010 REVISED SEPTEMBER 2012 30V, N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD17510Q5A PRODUCT SUMMARY 1 FEATURES VDS Drain to Source Voltage 30 V 2 Ultralow Qg and Qgd Qg Gate Charge Total (4.5V) 6.4 nC Low Thermal Resistance Qgd Gate Charge Gate to Drain 1.9 nC Avalanche Rated VGS = 4.5V 5.4 m RDS(on) Drain t

 8.1. Size:843K  texas
csd17522q5a.pdfpdf_icon

CSD17510Q5A

CSD17522Q5A www.ti.com SLPS341A JUNE 2011 REVISED AUGUST 2011 30V, N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD17522Q5A 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY 2 Optimized for 5V Gate Drive VDS Drain to Source Voltage 30 V Ultralow Qg and Qgd Qg Gate Charge Total (4.5V) 3.6 nC Low Thermal Resistance Qgd Gate Charge Gate to Drain 1.1 nC VGS = 4.5V 10 m Avala

 8.2. Size:1379K  texas
csd17556q5b.pdfpdf_icon

CSD17510Q5A

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD17556Q5B SLPS392B MARCH 2013 REVISED OCTOBER 2014 CSD17556Q5B 30 V N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Extremely Low Resistance TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low Qg and Qgd VDS Drain-to-Source Voltage 30 V Low Thermal Resistance Qg Gate Charge

 8.3. Size:1198K  texas
csd17579q3a.pdfpdf_icon

CSD17510Q5A

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD17579Q3A SLPS527 SEPTEMBER 2014 CSD17579Q3A 30 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 1 Features Product Summary 1 Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low RDS(on) VDS Drain-to-Source Voltage 30 V Low Thermal Resistance Qg Gate Charge Total (4.5 V) 5.3 nC Avalanche Rat

Другие IGBT... CSD17327Q5A, CSD17381F4, CSD17483F4, CSD17484F4, CSD17501Q5A, CSD17505Q5A, CSD17506Q5A, CSD17507Q5A, BS170, CSD17522Q5A, CSD17527Q5A, CSD17551Q3A, CSD17551Q5A, CSD17552Q3A, CSD17552Q5A, CSD17553Q5A, CSD17555Q5A