Справочник MOSFET. CSD17522Q5A

 

CSD17522Q5A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSD17522Q5A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm
   Тип корпуса: SON5X6 SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD17522Q5A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:843K  texas
csd17522q5a.pdfpdf_icon

CSD17522Q5A

CSD17522Q5Awww.ti.com SLPS341A JUNE 2011REVISED AUGUST 201130V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17522Q5A1FEATURESPRODUCT SUMMARY2 Optimized for 5V Gate DriveVDS Drain to Source Voltage 30 V Ultralow Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 3.6 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 1.1 nCVGS = 4.5V 10 m Avala

 7.1. Size:896K  texas
csd17527q5a.pdfpdf_icon

CSD17522Q5A

CSD17527Q5Awww.ti.com SLPS331A JUNE 2011REVISED AUGUST 201130V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17527Q5APRODUCT SUMMARY1FEATURESVDS Drain to Source Voltage 30 V2 Ultralow Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 2.8 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 0.8 nC Avalanche RatedVGS = 4.5V 12.5 mRDS(on) Drain to So

 8.1. Size:863K  texas
csd17510q5a.pdfpdf_icon

CSD17522Q5A

CSD17510Q5Awww.ti.com SLPS271G JULY 2010 REVISED SEPTEMBER 201230V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17510Q5APRODUCT SUMMARY1FEATURESVDS Drain to Source Voltage 30 V2 Ultralow Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 6.4 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 1.9 nC Avalanche RatedVGS = 4.5V 5.4 mRDS(on) Drain t

 8.2. Size:1379K  texas
csd17556q5b.pdfpdf_icon

CSD17522Q5A

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD17556Q5BSLPS392B MARCH 2013REVISED OCTOBER 2014CSD17556Q5B 30 V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Extremely Low ResistanceTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low Qg and QgdVDS Drain-to-Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STH315N10F7-6 | ISP25DP06LM | 2N7281 | 2SK873 | CS16N65W | CSD18537NKCS

 

 
Back to Top

 


 
.