Справочник MOSFET. CSD17579Q3A

 

CSD17579Q3A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSD17579Q3A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.9 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5.3 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0102 Ohm
   Тип корпуса: SON3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для CSD17579Q3A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD17579Q3A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1198K  texas
csd17579q3a.pdfpdf_icon

CSD17579Q3A

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD17579Q3ASLPS527 SEPTEMBER 2014CSD17579Q3A 30 V N-Channel NexFET Power MOSFETs1 FeaturesProduct Summary1 Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low RDS(on)VDS Drain-to-Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5 V) 5.3 nC Avalanche Rat

 5.1. Size:887K  texas
csd17579q5a.pdfpdf_icon

CSD17579Q3A

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD17579Q5ASLPS524 MARCH 2015CSD17579Q5A 30 V N-Channel NexFET Power MOSFETs1 FeaturesProduct Summary1 Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low RDS(on)VDS Drain-to-Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5 V) 5.4 nC Avalanche Rated

 7.1. Size:1000K  texas
csd17573q5b.pdfpdf_icon

CSD17579Q3A

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD17573Q5BSLPS492A JUNE 2014 REVISED FEBRUARY 2015CSD17573Q5B 30 V N-Channel NexFET Power MOSFETs1 FeaturesProduct Summary1 Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low RDS(on)VDS Drain-to-Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5 V

 7.2. Size:986K  texas
csd17575q3.pdfpdf_icon

CSD17579Q3A

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD17575Q3SLPS489A JUNE 2014 REVISED AUGUST 2014CSD17575Q3 30-V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low RDS(on)VDS Drain-to-Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5V) 23 nC

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.