CSD19531KCS - описание и поиск аналогов

 

CSD19531KCS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD19531KCS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 38 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0077 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для CSD19531KCS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD19531KCS даташит

 ..1. Size:398K  texas
csd19531kcs.pdfpdf_icon

CSD19531KCS

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD19531KCS SLPS407B SEPTEMBER 2013 REVISED JULY 2014 CSD19531KCS 100-V N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche Rated Qg Gate Charge Total

 6.1. Size:1281K  texas
csd19531q5a.pdfpdf_icon

CSD19531KCS

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD19531Q5A SLPS406B SEPTEMBER 2013 REVISED MAY 2014 CSD19531Q5A 100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche Rated Qg Gate Charge Total

 7.1. Size:404K  texas
csd19536kcs.pdfpdf_icon

CSD19531KCS

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD19536KCS SLPS485B JANUARY 2014 REVISED OCTOBER 2014 CSD19536KCS 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche Rated Qg Gate Charge Tota

 7.2. Size:504K  texas
csd19537q3.pdfpdf_icon

CSD19531KCS

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD19537Q3 SLPS549 AUGUST 2015 CSD19537Q3 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche Rated Qg Gate Charge Total (10 V) 16 nC Pb-Free

Другие MOSFET... CSD18540Q5B , CSD18542KCS , CSD18563Q5A , CSD19501KCS , CSD19502Q5B , CSD19503KCS , CSD19505KCS , CSD19506KCS , IRFP460 , CSD19531Q5A , CSD19532KTT , CSD19532Q5B , CSD19533KCS , CSD19533Q5A , CSD19534KCS , CSD19534Q5A , CSD19535KCS .

History: ZVN4306GV | ZVN4310A

 

 

 


 
↑ Back to Top
.