CSD19531Q5A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD19531Q5A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm

Тип корпуса: SON5X6

Аналог (замена) для CSD19531Q5A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD19531Q5A даташит

 ..1. Size:1281K  texas
csd19531q5a.pdfpdf_icon

CSD19531Q5A

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD19531Q5A SLPS406B SEPTEMBER 2013 REVISED MAY 2014 CSD19531Q5A 100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche Rated Qg Gate Charge Total

 6.1. Size:398K  texas
csd19531kcs.pdfpdf_icon

CSD19531Q5A

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD19531KCS SLPS407B SEPTEMBER 2013 REVISED JULY 2014 CSD19531KCS 100-V N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche Rated Qg Gate Charge Total

 7.1. Size:404K  texas
csd19536kcs.pdfpdf_icon

CSD19531Q5A

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD19536KCS SLPS485B JANUARY 2014 REVISED OCTOBER 2014 CSD19536KCS 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche Rated Qg Gate Charge Tota

 7.2. Size:504K  texas
csd19537q3.pdfpdf_icon

CSD19531Q5A

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD19537Q3 SLPS549 AUGUST 2015 CSD19537Q3 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche Rated Qg Gate Charge Total (10 V) 16 nC Pb-Free

Другие IGBT... CSD18542KCS, CSD18563Q5A, CSD19501KCS, CSD19502Q5B, CSD19503KCS, CSD19505KCS, CSD19506KCS, CSD19531KCS, IRFZ44, CSD19532KTT, CSD19532Q5B, CSD19533KCS, CSD19533Q5A, CSD19534KCS, CSD19534Q5A, CSD19535KCS, CSD19535KTT