Справочник MOSFET. CSD19531Q5A

 

CSD19531Q5A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSD19531Q5A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm
   Тип корпуса: SON5X6
 

 Аналог (замена) для CSD19531Q5A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD19531Q5A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1281K  texas
csd19531q5a.pdfpdf_icon

CSD19531Q5A

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD19531Q5ASLPS406B SEPTEMBER 2013 REVISED MAY 2014CSD19531Q5A 100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche RatedQg Gate Charge Total

 6.1. Size:398K  texas
csd19531kcs.pdfpdf_icon

CSD19531Q5A

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD19531KCSSLPS407B SEPTEMBER 2013 REVISED JULY 2014CSD19531KCS 100-V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche RatedQg Gate Charge Total

 7.1. Size:404K  texas
csd19536kcs.pdfpdf_icon

CSD19531Q5A

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD19536KCSSLPS485B JANUARY 2014 REVISED OCTOBER 2014CSD19536KCS 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche RatedQg Gate Charge Tota

 7.2. Size:504K  texas
csd19537q3.pdfpdf_icon

CSD19531Q5A

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD19537Q3SLPS549 AUGUST 2015CSD19537Q3 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche RatedQg Gate Charge Total (10 V) 16 nC Pb-Free

Другие MOSFET... CSD18542KCS , CSD18563Q5A , CSD19501KCS , CSD19502Q5B , CSD19503KCS , CSD19505KCS , CSD19506KCS , CSD19531KCS , IRFZ44 , CSD19532KTT , CSD19532Q5B , CSD19533KCS , CSD19533Q5A , CSD19534KCS , CSD19534Q5A , CSD19535KCS , CSD19535KTT .

History: BUZ73AL | SSM3K329R | PMPB12UNEA | MP4N150 | TK12A55D

 

 
Back to Top

 


 
.