Справочник MOSFET. CSD19536KTT

 

CSD19536KTT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSD19536KTT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1820 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для CSD19536KTT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD19536KTT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:876K  texas
csd19536ktt.pdfpdf_icon

CSD19536KTT

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD19536KTTSLPS540A MARCH 2015 REVISED MAY 2015CSD19536KTT 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-source voltage 100 V Avalanche RatedQg Gate charge total (10 V

 5.1. Size:404K  texas
csd19536kcs.pdfpdf_icon

CSD19536KTT

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD19536KCSSLPS485B JANUARY 2014 REVISED OCTOBER 2014CSD19536KCS 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche RatedQg Gate Charge Tota

 7.1. Size:1281K  texas
csd19531q5a.pdfpdf_icon

CSD19536KTT

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD19531Q5ASLPS406B SEPTEMBER 2013 REVISED MAY 2014CSD19531Q5A 100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche RatedQg Gate Charge Total

 7.2. Size:504K  texas
csd19537q3.pdfpdf_icon

CSD19536KTT

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD19537Q3SLPS549 AUGUST 2015CSD19537Q3 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche RatedQg Gate Charge Total (10 V) 16 nC Pb-Free

Другие MOSFET... CSD19532Q5B , CSD19533KCS , CSD19533Q5A , CSD19534KCS , CSD19534Q5A , CSD19535KCS , CSD19535KTT , CSD19536KCS , IRFB4227 , CSD19537Q3 , CSD22202W15 , CSD22204W , CSD23201W10 , CSD23202W10 , CSD23203W , CSD23381F4 , CSD23382F4 .

History: IRF7478PBF-1 | STN4260 | PK5G6EA | FDS6680S | HMS60N10D | ZXM64N035L3

 

 
Back to Top

 


 
.