Справочник MOSFET. CSD19537Q3

 

CSD19537Q3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSD19537Q3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 251 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: SON3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для CSD19537Q3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD19537Q3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:504K  texas
csd19537q3.pdfpdf_icon

CSD19537Q3

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD19537Q3SLPS549 AUGUST 2015CSD19537Q3 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche RatedQg Gate Charge Total (10 V) 16 nC Pb-Free

 7.1. Size:404K  texas
csd19536kcs.pdfpdf_icon

CSD19537Q3

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD19536KCSSLPS485B JANUARY 2014 REVISED OCTOBER 2014CSD19536KCS 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche RatedQg Gate Charge Tota

 7.2. Size:1281K  texas
csd19531q5a.pdfpdf_icon

CSD19537Q3

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD19531Q5ASLPS406B SEPTEMBER 2013 REVISED MAY 2014CSD19531Q5A 100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche RatedQg Gate Charge Total

 7.3. Size:352K  texas
csd19538q3a.pdfpdf_icon

CSD19537Q3

Support &Product Order Technical Tools &CommunityFolder Now Documents SoftwareCSD19538Q3ASLPS583A MAY 2016 REVISED MARCH 2017CSD19538Q3A 100-V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low-Thermal ResistanceVDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche RatedQg Gate Charge Total (10 V) 4

Другие MOSFET... CSD19533KCS , CSD19533Q5A , CSD19534KCS , CSD19534Q5A , CSD19535KCS , CSD19535KTT , CSD19536KCS , CSD19536KTT , IRFB4110 , CSD22202W15 , CSD22204W , CSD23201W10 , CSD23202W10 , CSD23203W , CSD23381F4 , CSD23382F4 , CSD25201W15 .

History: AD2N60S | 2SK799 | 2SJ117 | SI7216DN | IRF5M3710 | SIR402DP | DAEMI056N090Z1B

 

 
Back to Top

 


 
.