CSD23203W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CSD23203W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.9 nC
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 391 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0194 Ohm
Тип корпуса: DSBGA
CSD23203W Datasheet (PDF)
csd23203w.pdf
Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD23203WSLPS533 DECEMBER 2014CSD23203W 8 V P-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low RDS(on)VDS Drain-to-Source Voltage 8 V Small FootprintQg Gate Charge Total (4.5 V) 4.9 nC Low Profile 0.62
csd23201w10.pdf
CSD23201W10www.ti.com SLPS209A AUGUST 2009 REVISED MAY 2010P-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD23201W101FEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Qg and QgdVDS Drain to Source Voltage 12 V Small Footprint 1mm 1mmQg Gate Charge Total (4.5V) 1.8 nC Low Profile 0.62mm HeightQgd Gate Charge Gate to Drain 0.26 nC Pb FreeVGS = 1.5V 110
csd23202w10.pdf
Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD23202W10SLPS506 AUGUST 2014CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Small Footprint 1 mm 1 mmVDS Drain-to-Source Voltage 12 V Low Profile 0.62-mm HeightQg Gate Charge Total (4.
csd23280f3.pdf
Support &Product Order Technical Tools &CommunityFolder Now Documents SoftwareCSD23280F3ZHCSEX4A APRIL 2016 REVISED AUGUST 2017CSD23280F3 12V P FemtoFETMOSFET1 1 TA = 25C Qg QgdVDS 12 V Qg
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918