CSD23381F4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD23381F4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm

Тип корпуса: PICOSTAR

Аналог (замена) для CSD23381F4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD23381F4 даташит

 ..1. Size:1337K  texas
 csd23381f4.pdf pdf_icon

CSD23381F4

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD23381F4 SLPS450E OCTOBER 2013 REVISED MAY 2015 CSD23381F4 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low On-Resistance TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low Qg and Qgd VDS Drain-to-Source Voltage 12 V High Operating Drain Current Qg Gate Charg

 7.1. Size:1297K  texas
 csd23382f4.pdf pdf_icon

CSD23381F4

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD23382F4 SLPS453C MAY 2014 REVISED OCTOBER 2014 CSD23382F4 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET 1 Features Product Summary 1 Low On-Resistance TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low Qg and Qgd VDS Drain-to-Source Voltage 12 V Ultra-Small Footprint (0402 Case Size) Qg Gate Cha

 9.1. Size:141K  texas
 csd23201w10.pdf pdf_icon

CSD23381F4

CSD23201W10 www.ti.com SLPS209A AUGUST 2009 REVISED MAY 2010 P-Channel NexFET Power MOSFET Check for Samples CSD23201W10 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY Ultra Low Qg and Qgd VDS Drain to Source Voltage 12 V Small Footprint 1mm 1mm Qg Gate Charge Total (4.5V) 1.8 nC Low Profile 0.62mm Height Qgd Gate Charge Gate to Drain 0.26 nC Pb Free VGS = 1.5V 110

 9.2. Size:1051K  texas
 csd23202w10.pdf pdf_icon

CSD23381F4

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD23202W10 SLPS506 AUGUST 2014 CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Small Footprint 1 mm 1 mm VDS Drain-to-Source Voltage 12 V Low Profile 0.62-mm Height Qg Gate Charge Total ( 4.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CSD19536KCS, CSD19536KTT, CSD19537Q3, CSD22202W15, CSD22204W, CSD23201W10, CSD23202W10, CSD23203W, IRFP250N, CSD23382F4, CSD25201W15, CSD25202W15, CSD25211W1015, CSD25213W10, CSD25301W1015, CSD25302Q2, CSD25303W1015