Справочник MOSFET. CSD23381F4

 

CSD23381F4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSD23381F4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm
   Тип корпуса: PICOSTAR
 

 Аналог (замена) для CSD23381F4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD23381F4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1337K  texas
csd23381f4.pdfpdf_icon

CSD23381F4

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD23381F4SLPS450E OCTOBER 2013 REVISED MAY 2015CSD23381F4 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low On-ResistanceTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low Qg and QgdVDS Drain-to-Source Voltage 12 V High Operating Drain CurrentQg Gate Charg

 7.1. Size:1297K  texas
csd23382f4.pdfpdf_icon

CSD23381F4

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD23382F4SLPS453C MAY 2014REVISED OCTOBER 2014CSD23382F4 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Low On-ResistanceTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low Qg and QgdVDS Drain-to-Source Voltage 12 V Ultra-Small Footprint (0402 Case Size)Qg Gate Cha

 9.1. Size:141K  texas
csd23201w10.pdfpdf_icon

CSD23381F4

CSD23201W10www.ti.com SLPS209A AUGUST 2009 REVISED MAY 2010P-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD23201W101FEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Qg and QgdVDS Drain to Source Voltage 12 V Small Footprint 1mm 1mmQg Gate Charge Total (4.5V) 1.8 nC Low Profile 0.62mm HeightQgd Gate Charge Gate to Drain 0.26 nC Pb FreeVGS = 1.5V 110

 9.2. Size:1051K  texas
csd23202w10.pdfpdf_icon

CSD23381F4

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD23202W10SLPS506 AUGUST 2014CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Small Footprint 1 mm 1 mmVDS Drain-to-Source Voltage 12 V Low Profile 0.62-mm HeightQg Gate Charge Total (4.

Другие MOSFET... CSD19536KCS , CSD19536KTT , CSD19537Q3 , CSD22202W15 , CSD22204W , CSD23201W10 , CSD23202W10 , CSD23203W , AON7408 , CSD23382F4 , CSD25201W15 , CSD25202W15 , CSD25211W1015 , CSD25213W10 , CSD25301W1015 , CSD25302Q2 , CSD25303W1015 .

History: DMN2046U | PM597BA | CES2308 | BL15N25-A | BRCS400P03SC | MS6N90 | NCE70T360D

 

 
Back to Top

 


 
.