CSD23382F4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CSD23382F4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm
Тип корпуса: PICOSTAR
Аналог (замена) для CSD23382F4
CSD23382F4 Datasheet (PDF)
csd23382f4.pdf

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD23382F4SLPS453C MAY 2014REVISED OCTOBER 2014CSD23382F4 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Low On-ResistanceTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low Qg and QgdVDS Drain-to-Source Voltage 12 V Ultra-Small Footprint (0402 Case Size)Qg Gate Cha
csd23381f4.pdf

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD23381F4SLPS450E OCTOBER 2013 REVISED MAY 2015CSD23381F4 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low On-ResistanceTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low Qg and QgdVDS Drain-to-Source Voltage 12 V High Operating Drain CurrentQg Gate Charg
csd23201w10.pdf

CSD23201W10www.ti.com SLPS209A AUGUST 2009 REVISED MAY 2010P-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD23201W101FEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Qg and QgdVDS Drain to Source Voltage 12 V Small Footprint 1mm 1mmQg Gate Charge Total (4.5V) 1.8 nC Low Profile 0.62mm HeightQgd Gate Charge Gate to Drain 0.26 nC Pb FreeVGS = 1.5V 110
csd23202w10.pdf

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD23202W10SLPS506 AUGUST 2014CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Small Footprint 1 mm 1 mmVDS Drain-to-Source Voltage 12 V Low Profile 0.62-mm HeightQg Gate Charge Total (4.
Другие MOSFET... CSD19536KTT , CSD19537Q3 , CSD22202W15 , CSD22204W , CSD23201W10 , CSD23202W10 , CSD23203W , CSD23381F4 , 7N65 , CSD25201W15 , CSD25202W15 , CSD25211W1015 , CSD25213W10 , CSD25301W1015 , CSD25302Q2 , CSD25303W1015 , CSD25304W1015 .
History: AP75T10GP | HGP130N12SL | 2SK655 | PM516BZ | NCEP40P65QU | P5015BD
History: AP75T10GP | HGP130N12SL | 2SK655 | PM516BZ | NCEP40P65QU | P5015BD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor