CSD25201W15. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD25201W15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: WLP1.5X1.5

Аналог (замена) для CSD25201W15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD25201W15 даташит

 ..1. Size:314K  texas
 csd25201w15.pdf pdf_icon

CSD25201W15

CSD25201W15 www.ti.com SLPS269A JUNE 2010 REVISED JULY 2011 P-Channel NexFET Power MOSFET Check for Samples CSD25201W15 PRODUCT SUMMARY 1 FEATURES VDS Drain to Drain Voltage 20 V Low Resistance Qg Gate Charge Total ( 4.5V) 4.3 nC Small Footprint 1.5-mm 1.5-mm Qgd Gate Charge Gate to Drain 0.7 nC Gate ESD Protection 3kV VGS = 1.8V 52 m Pb F

 7.1. Size:985K  texas
 csd25202w15.pdf pdf_icon

CSD25201W15

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD25202W15 SLPS508A JUNE 2014 REVISED JULY 2014 CSD25202W15 20-V P-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Low-Resistance TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Small Footprint 1.5 mm 1.5 mm VDS Drain-to-Source Voltage 20 V Gate ESD Protection 3 kV Qg Gate C

 8.1. Size:742K  texas
 csd25211w1015.pdf pdf_icon

CSD25201W15

CSD25211W1015 www.ti.com SLPS296 FEBRUARY 2012 P-Channel NexFET Power MOSFET Check for Samples CSD25211W1015 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY Ultra Low On Resistance TA = 25 C unless otherwise stated TYPICAL VALUE UNIT Ultra Low Qg and Qgd VDS Drain to Source Voltage -20 V Small Footprint 1.0mm x 1.5mm Qg Gate Charge Total (-4.5V) 3.4 nC Qgd Gate Charge Gate to Drain

 8.2. Size:1297K  texas
 csd25213w10.pdf pdf_icon

CSD25201W15

CSD25213W10 www.ti.com SLPS443 JUNE 2013 P-Channel NexFET Power MOSFET Check for Samples CSD25213W10 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY Ultra Low Qg and Qgd VDS Drain to Source Voltage 20 V Small Footprint 1mm 1mm Qg Gate Charge Total (4.5V) 2.2 nC Low Profile 0.62mm Height Qgd Gate Charge Gate to Drain 0.14 nC VGS = 2.5V 54 m Pb Free RDS(on) Drain to S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CSD19537Q3, CSD22202W15, CSD22204W, CSD23201W10, CSD23202W10, CSD23203W, CSD23381F4, CSD23382F4, IRF9540, CSD25202W15, CSD25211W1015, CSD25213W10, CSD25301W1015, CSD25302Q2, CSD25303W1015, CSD25304W1015, CSD25310Q2