CSD25202W15. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CSD25202W15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: WLP1.5X1.5
Аналог (замена) для CSD25202W15
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CSD25202W15 даташит
csd25202w15.pdf
Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD25202W15 SLPS508A JUNE 2014 REVISED JULY 2014 CSD25202W15 20-V P-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Low-Resistance TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Small Footprint 1.5 mm 1.5 mm VDS Drain-to-Source Voltage 20 V Gate ESD Protection 3 kV Qg Gate C
csd25201w15.pdf
CSD25201W15 www.ti.com SLPS269A JUNE 2010 REVISED JULY 2011 P-Channel NexFET Power MOSFET Check for Samples CSD25201W15 PRODUCT SUMMARY 1 FEATURES VDS Drain to Drain Voltage 20 V Low Resistance Qg Gate Charge Total ( 4.5V) 4.3 nC Small Footprint 1.5-mm 1.5-mm Qgd Gate Charge Gate to Drain 0.7 nC Gate ESD Protection 3kV VGS = 1.8V 52 m Pb F
csd25211w1015.pdf
CSD25211W1015 www.ti.com SLPS296 FEBRUARY 2012 P-Channel NexFET Power MOSFET Check for Samples CSD25211W1015 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY Ultra Low On Resistance TA = 25 C unless otherwise stated TYPICAL VALUE UNIT Ultra Low Qg and Qgd VDS Drain to Source Voltage -20 V Small Footprint 1.0mm x 1.5mm Qg Gate Charge Total (-4.5V) 3.4 nC Qgd Gate Charge Gate to Drain
csd25213w10.pdf
CSD25213W10 www.ti.com SLPS443 JUNE 2013 P-Channel NexFET Power MOSFET Check for Samples CSD25213W10 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY Ultra Low Qg and Qgd VDS Drain to Source Voltage 20 V Small Footprint 1mm 1mm Qg Gate Charge Total (4.5V) 2.2 nC Low Profile 0.62mm Height Qgd Gate Charge Gate to Drain 0.14 nC VGS = 2.5V 54 m Pb Free RDS(on) Drain to S
Другие MOSFET... CSD22202W15 , CSD22204W , CSD23201W10 , CSD23202W10 , CSD23203W , CSD23381F4 , CSD23382F4 , CSD25201W15 , AON7408 , CSD25211W1015 , CSD25213W10 , CSD25301W1015 , CSD25302Q2 , CSD25303W1015 , CSD25304W1015 , CSD25310Q2 , CSD25401Q3 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AS6004 | 2N7002EY | AS2310A | 2N7002KM | 2N7002KH | AON5802 | AOSS62934 | AOSN21319C | AONS66966 | AONR62992 | AON7400B | AON6578 | AO3480C | AO3400C | HAF1008S | HAF1008L
Popular searches
a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735




