CSD25213W10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CSD25213W10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.2 nC
trⓘ - Время нарастания: 520 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 148 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm
Тип корпуса: DSBGA
Аналог (замена) для CSD25213W10
CSD25213W10 Datasheet (PDF)
csd25213w10.pdf
CSD25213W10www.ti.com SLPS443 JUNE 2013P-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD25213W101FEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Qg and QgdVDS Drain to Source Voltage 20 V Small Footprint 1mm 1mmQg Gate Charge Total (4.5V) 2.2 nC Low Profile 0.62mm HeightQgd Gate Charge Gate to Drain 0.14 nCVGS = 2.5V 54 m Pb FreeRDS(on) Drain to S
csd25211w1015.pdf
CSD25211W1015www.ti.com SLPS296 FEBRUARY 2012P-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD25211W10151FEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low On ResistanceTA = 25C unless otherwise stated TYPICAL VALUE UNIT Ultra Low Qg and QgdVDS Drain to Source Voltage -20 V Small Footprint 1.0mm x 1.5mmQg Gate Charge Total (-4.5V) 3.4 nCQgd Gate Charge Gate to Drain
csd25202w15.pdf
Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD25202W15SLPS508A JUNE 2014 REVISED JULY 2014CSD25202W15 20-V P-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Low-ResistanceTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Small Footprint 1.5 mm 1.5 mmVDS Drain-to-Source Voltage 20 V Gate ESD Protection 3 kVQg Gate C
csd25201w15.pdf
CSD25201W15www.ti.com SLPS269A JUNE 2010REVISED JULY 2011P-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD25201W15PRODUCT SUMMARY1FEATURESVDS Drain to Drain Voltage 20 V Low ResistanceQg Gate Charge Total (4.5V) 4.3 nC Small Footprint 1.5-mm 1.5-mmQgd Gate Charge Gate to Drain 0.7 nC Gate ESD Protection 3kVVGS = 1.8V 52 m Pb F
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918