Справочник MOSFET. CSD75211W1723

 

CSD75211W1723 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CSD75211W1723
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: WLP1.7X2.3

 Аналог (замена) для CSD75211W1723

 

 

CSD75211W1723 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  texas
csd75211w1723.pdf

CSD75211W1723
CSD75211W1723

CSD75211W1723www.ti.com SLPS250A MAY 2010REVISED AUGUST 2011Dual P-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD75211W1723PRODUCT SUMMARY1FEATURESVDS Drain to Source Voltage -20 V Dual P-Ch MOSFETsQg Gate Charge Total (-4.5V) 4.5 nC Common Source ConfigurationQgd Gate Charge Gate to Drain 0.9 nC Small Footprint 1.7 mm 2.3 mmVGS = -1.8V 50 m

 8.1. Size:1435K  texas
csd75208w1015.pdf

CSD75211W1723
CSD75211W1723

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD75208W1015SLPS512 JULY 2014CSD75208W1015 Dual 20-V Common Source P-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Dual P-Channel MOSFETsTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Common Source ConfigurationVDS Drain-to-Source Voltage 20 V Small Footprint 1 mm 1.5 mmQ

 8.2. Size:207K  texas
csd75205w1015.pdf

CSD75211W1723
CSD75211W1723

CSD75205W1015www.ti.com SLPS222B OCTOBER 2009 REVISED OCTOBER 2010P-Channel NexFET Power MOSFET1FEATURESPRODUCT SUMMARY Dual P-Ch MOSFETsVDS Drain to Source Voltage 20 V Common Source ConfigurationQg Gate Charge Total (-4.5V) 1.6 nC Small Footprint 1mm 1.5mmQgd Gate Charge Gate to Drain 0.4 nCVGS = 1.8V 145 m Gate-Source Voltage Clamp

 8.3. Size:1324K  texas
csd75207w15.pdf

CSD75211W1723
CSD75211W1723

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD75207W15SLPS418A JUNE 2013 REVISED JUNE 2014CSD75207W15 Dual P-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Dual P-Channel MOSFETsTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Common Source ConfigurationVD1D2 Drain-to-Drain Voltage 20 V Small Footprint 1.5-mm 1.5-mm

 8.4. Size:145K  texas
csd75204w15.pdf

CSD75211W1723
CSD75211W1723

CSD75204W15www.ti.com SLPS221A OCTOBER 2009REVISED OCTOBER 2010Dual P-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD75204W151FEATURESPRODUCT SUMMARY Dual P-Ch MOSFETsVD1D2 Drain to Drain Voltage 20 V Common Source ConfigurationQg Gate Charge Total (-4.5V) 2.8 nC Small Footprint 1.5-mm 1.5-mmQgd Gate Charge Gate to Drain 0.6 nC Gate-Source

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top