CSD86330Q3D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD86330Q3D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm

Тип корпуса: SON3.3X3.3

Аналог (замена) для CSD86330Q3D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD86330Q3D даташит

 ..1. Size:1426K  texas
 csd86330q3d.pdf pdf_icon

CSD86330Q3D

CSD86330Q3D www.ti.com SLPS264C OCTOBER 2010 REVISED OCTOBER 2011 Synchronous Buck NexFET Power Block 1 DESCRIPTION FEATURES The CSD86330Q3D NexFET power block is an 2 Half-Bridge Power Block optimized design for synchronous buck applications 90% System Efficiency at 15A offering high current, high efficiency, and high Up To 20A Operation frequency capability

 8.1. Size:1169K  texas
 csd86360q5d.pdf pdf_icon

CSD86330Q3D

CSD86360Q5D www.ti.com SLPS327A SEPTEMBER 2012 REVISED MAY 2013 Synchronous Buck NexFET Power Block 1 DESCRIPTION FEATURES The CSD86360Q5D NexFET power block is an 2 Half-Bridge Power Block optimized design for synchronous buck applications 91% system Efficiency at 25A offering high current, high efficiency, and high Up To 50A Operation frequency capability

 8.2. Size:1459K  texas
 csd86350q5d.pdf pdf_icon

CSD86330Q3D

CSD86350Q5D www.ti.com SLPS223E MAY 2010 REVISED OCTOBER 2011 Synchronous Buck NexFET Power Block 1 DESCRIPTION FEATURES The CSD86350Q5D NexFET power block is an 2 Half-Bridge Power Block optimized design for synchronous buck applications 90% system Efficiency at 25A offering high current, high efficiency, and high Up To 40A Operation frequency capability in a

 8.3. Size:495K  texas
 csd86311w1723.pdf pdf_icon

CSD86330Q3D

CSD86311W1723 www.ti.com SLPS251 MAY 2010 Dual N-Channel NexFET Power MOSFET Check for Samples CSD86311W1723 PRODUCT SUMMARY 1 FEATURES VDS Drain to Source Voltage 25 V Dual N-Ch MOSFETs Qg Gate Charge Total (4.5V) 3.1 nC Common Source Configuration Qgd Gate Charge Gate to Drain 0.33 nC Small Footprint 1.7 mm 2.3 mm VGS = 2.5V 37 m Ultra Low Qg and Qgd

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CSD75207W15, CSD75208W1015, CSD75211W1723, CSD75301W1015, CSD83325L, CSD85301Q2, CSD85312Q3E, CSD86311W1723, AON7506, CSD86350Q5D, CSD87312Q3E, CSD87330Q3D, CSD87331Q3D, CSD87334Q3D, CSD87350Q5D, CSD87351Q5D, CSD87352Q5D