CSD86350Q5D - описание и поиск аналогов

 

CSD86350Q5D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD86350Q5D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 13 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 645 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: SON5X6

Аналог (замена) для CSD86350Q5D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD86350Q5D даташит

 ..1. Size:1459K  texas
csd86350q5d.pdfpdf_icon

CSD86350Q5D

CSD86350Q5D www.ti.com SLPS223E MAY 2010 REVISED OCTOBER 2011 Synchronous Buck NexFET Power Block 1 DESCRIPTION FEATURES The CSD86350Q5D NexFET power block is an 2 Half-Bridge Power Block optimized design for synchronous buck applications 90% system Efficiency at 25A offering high current, high efficiency, and high Up To 40A Operation frequency capability in a

 8.1. Size:1169K  texas
csd86360q5d.pdfpdf_icon

CSD86350Q5D

CSD86360Q5D www.ti.com SLPS327A SEPTEMBER 2012 REVISED MAY 2013 Synchronous Buck NexFET Power Block 1 DESCRIPTION FEATURES The CSD86360Q5D NexFET power block is an 2 Half-Bridge Power Block optimized design for synchronous buck applications 91% system Efficiency at 25A offering high current, high efficiency, and high Up To 50A Operation frequency capability

 8.2. Size:1426K  texas
csd86330q3d.pdfpdf_icon

CSD86350Q5D

CSD86330Q3D www.ti.com SLPS264C OCTOBER 2010 REVISED OCTOBER 2011 Synchronous Buck NexFET Power Block 1 DESCRIPTION FEATURES The CSD86330Q3D NexFET power block is an 2 Half-Bridge Power Block optimized design for synchronous buck applications 90% System Efficiency at 15A offering high current, high efficiency, and high Up To 20A Operation frequency capability

 8.3. Size:495K  texas
csd86311w1723.pdfpdf_icon

CSD86350Q5D

CSD86311W1723 www.ti.com SLPS251 MAY 2010 Dual N-Channel NexFET Power MOSFET Check for Samples CSD86311W1723 PRODUCT SUMMARY 1 FEATURES VDS Drain to Source Voltage 25 V Dual N-Ch MOSFETs Qg Gate Charge Total (4.5V) 3.1 nC Common Source Configuration Qgd Gate Charge Gate to Drain 0.33 nC Small Footprint 1.7 mm 2.3 mm VGS = 2.5V 37 m Ultra Low Qg and Qgd

Другие MOSFET... CSD75208W1015 , CSD75211W1723 , CSD75301W1015 , CSD83325L , CSD85301Q2 , CSD85312Q3E , CSD86311W1723 , CSD86330Q3D , STP80NF70 , CSD87312Q3E , CSD87330Q3D , CSD87331Q3D , CSD87334Q3D , CSD87350Q5D , CSD87351Q5D , CSD87352Q5D , CSD87353Q5D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.