Справочник MOSFET. CSD86350Q5D

 

CSD86350Q5D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSD86350Q5D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 13 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 645 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: SON5X6
 

 Аналог (замена) для CSD86350Q5D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD86350Q5D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1459K  texas
csd86350q5d.pdfpdf_icon

CSD86350Q5D

CSD86350Q5Dwww.ti.com SLPS223E MAY 2010REVISED OCTOBER 2011Synchronous Buck NexFET Power Block1 DESCRIPTIONFEATURESThe CSD86350Q5D NexFET power block is an2 Half-Bridge Power Blockoptimized design for synchronous buck applications 90% system Efficiency at 25Aoffering high current, high efficiency, and high Up To 40A Operationfrequency capability in a

 8.1. Size:1169K  texas
csd86360q5d.pdfpdf_icon

CSD86350Q5D

CSD86360Q5Dwww.ti.com SLPS327A SEPTEMBER 2012 REVISED MAY 2013Synchronous Buck NexFET Power Block1 DESCRIPTIONFEATURESThe CSD86360Q5D NexFET power block is an2 Half-Bridge Power Blockoptimized design for synchronous buck applications 91% system Efficiency at 25Aoffering high current, high efficiency, and high Up To 50A Operationfrequency capability

 8.2. Size:1426K  texas
csd86330q3d.pdfpdf_icon

CSD86350Q5D

CSD86330Q3Dwww.ti.com SLPS264C OCTOBER 2010REVISED OCTOBER 2011Synchronous Buck NexFET Power Block1 DESCRIPTIONFEATURESThe CSD86330Q3D NexFET power block is an2 Half-Bridge Power Blockoptimized design for synchronous buck applications 90% System Efficiency at 15Aoffering high current, high efficiency, and high Up To 20A Operationfrequency capability

 8.3. Size:495K  texas
csd86311w1723.pdfpdf_icon

CSD86350Q5D

CSD86311W1723www.ti.com SLPS251 MAY 2010Dual N-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD86311W1723PRODUCT SUMMARY1FEATURESVDS Drain to Source Voltage 25 V Dual N-Ch MOSFETsQg Gate Charge Total (4.5V) 3.1 nC Common Source ConfigurationQgd Gate Charge Gate to Drain 0.33 nC Small Footprint 1.7 mm 2.3 mmVGS = 2.5V 37 m Ultra Low Qg and Qgd

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.