Справочник MOSFET. KDB2552

 

KDB2552 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDB2552
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
   trⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KDB2552 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  kexin
kdb2552.pdfpdf_icon

KDB2552

SMD Type MOSFETN-Channel PowerTrench MOSFETKDB2552(FDB2552)FeaturesTO-263Unit: mmrDS(ON) = 32m (Typ.), VGS = 10V, ID = 16A+0.24.57-0.2+0.1Qg(tot) = 39nC (Typ.), VGS = 10V 1.27-0.1Low Miller ChargeLow QRR Body DiodeUIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)+0.10.1max1.27-0.1+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.4-0.23

 9.1. Size:51K  kexin
kdb2532.pdfpdf_icon

KDB2552

SMD Type MOSFETN-Channel PowerTrench MOSFETKDB2532(FDB2532)TO-263Unit: mmFeatures+0.24.57-0.2+0.1rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 33A 1.27-0.1Qg(tot) = 82nC (Typ.), VGS = 10VLow Miller ChargeLow QRR Body Diode+0.10.1max1.27-0.1UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.4-0.23

 9.2. Size:50K  kexin
kdb2570.pdfpdf_icon

KDB2552

SMD Type MOSFET150V N-Channel PowerTrench MOSFETKDB2570(FDB2570)TO-263Unit: mmFeatures22 A, 150 V. RDS(ON) =80 m @VGS =10 V +0.24.57-0.2+0.11.27-0.1RDS(ON) =90m @VGS =6VLow gate chargeFast switching speed+0.10.1max1.27-0.1High performance trench technology for extremelylow RDS(ON)+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.4-0.2

 9.3. Size:52K  kexin
kdb2572.pdfpdf_icon

KDB2552

SMD Type MOSFETN-Channel PowerTrench MOSFETKDB2572(FDB2572)FeaturesTO-263Unit: mmrDS(ON) = 45m (Typ.), VGS = 10V, ID =9A+0.24.57-0.2+0.1Qg(tot) = 26nC (Typ.), VGS = 10V1.27-0.1Low Miller ChargeLow QRR Body DiodeUIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)+0.10.1max1.27-0.1+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.4-0.23

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: DMS3017SSD | SES760 | STP5NB40 | APT10040LVR | TK16A60W5 | IRL620PBF | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.