Справочник MOSFET. KDD3680

 

KDD3680 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDD3680
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 38 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 176 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для KDD3680

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDD3680 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  kexin
 kdd3680.pdf pdf_icon

KDD3680

SMD Type ICSMD Type Transistors100V N-Channel Power Trench MOSFETKDD3680TO-252Unit: mm6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7Features25 A, 100 V. RDS(ON) = 46m @VGS =10 VRDS(ON) = 51m @VGS =6V0.127Low gate charge (38 nC typical)0.80+0.1 max-0.1Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)1. Gate2.3 0.60+0

 9.1. Size:62K  kexin
 kdd3670.pdf pdf_icon

KDD3680

SMD Type ICSMD Type Transistors100V N-Channel PowerTrench MOSFETKDD3670TO-252Unit: mm6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7Features34 A, 100 V. RDS(ON) = 32m @VGS =10VRDS(ON) = 35m @VGS =6V0.127Low gate charge (57 nC typical)0.80+0.1 max-0.1Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)1. Gate2.3 0.60+0.1

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.