Справочник MOSFET. KDD3680

 

KDD3680 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KDD3680
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 38 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 176 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для KDD3680

 

 

KDD3680 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  kexin
 kdd3680.pdf

KDD3680 KDD3680

SMD Type ICSMD Type Transistors100V N-Channel Power Trench MOSFETKDD3680TO-252Unit: mm6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7Features25 A, 100 V. RDS(ON) = 46m @VGS =10 VRDS(ON) = 51m @VGS =6V0.127Low gate charge (38 nC typical)0.80+0.1 max-0.1Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)1. Gate2.3 0.60+0

 9.1. Size:62K  kexin
 kdd3670.pdf

KDD3680 KDD3680

SMD Type ICSMD Type Transistors100V N-Channel PowerTrench MOSFETKDD3670TO-252Unit: mm6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1+0.25.30-0.2 0.50+0.8-0.7Features34 A, 100 V. RDS(ON) = 32m @VGS =10VRDS(ON) = 35m @VGS =6V0.127Low gate charge (57 nC typical)0.80+0.1 max-0.1Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)1. Gate2.3 0.60+0.1

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top