KDS3512 - описание и поиск аналогов

 

KDS3512. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KDS3512

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для KDS3512

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS3512 даташит

 ..1. Size:62K  kexin
 kds3512.pdf pdf_icon

KDS3512

SMD Type IC SMD Type IC 80V N-Channel PowerTrench MOSFET KDS3512 Features 4.0 A, 80 V. RDS(ON) = 70m @VGS =10 V RDS(ON) = 80m @VGS =6V Low gate charge (13 nC typical) Fast switching speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON) High power and current handling capability Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain to Source Voltage VDSS 8

Другие MOSFET... KDB7045L , KDC6020C , KDD2572 , KDD3670 , KDD3680 , KDD6030L , KDR8702H , KDS2572 , AO4407A , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 , KDS5670 , KDS6375 .

History: FTK8N65F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.