Справочник MOSFET. KDS3512

 

KDS3512 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDS3512
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KDS3512

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS3512 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  kexin
 kds3512.pdf pdf_icon

KDS3512

SMD Type ICSMD Type IC80V N-Channel PowerTrench MOSFETKDS3512Features4.0 A, 80 V. RDS(ON) = 70m @VGS =10 VRDS(ON) = 80m @VGS =6VLow gate charge (13 nC typical)Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain to Source Voltage VDSS 8

Другие MOSFET... KDB7045L , KDC6020C , KDD2572 , KDD3670 , KDD3680 , KDD6030L , KDR8702H , KDS2572 , AO3407 , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 , KDS5670 , KDS6375 .

History: AON7400 | IXFJ26N50P3

 

 
Back to Top

 


 
.