KDS3601 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KDS3601
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для KDS3601
KDS3601 Datasheet (PDF)
kds3601.pdf
SMD Type ICSMD Type IC100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFETKDS3601Features1.3 A, 100 V. RDS(ON) = 480m @VGS =10 VRDS(ON) = 530m @VGS =6VLow gate charge (3.7 nC typical)Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain to Source Volt
Другие MOSFET... KDC6020C , KDD2572 , KDD3670 , KDD3680 , KDD6030L , KDR8702H , KDS2572 , KDS3512 , IRFB7545 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 , KDS5670 , KDS6375 , KDS6685 .
History: KDS2572
History: KDS2572
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGMS5N50D | AGML315ME | AGMH70N90H | AGMH70N90C | AGMH70N70D | AGMH70N70C | AGMH614H | AGMH614D | AGMH614C | AGMH612D | AGMH6080H | AGMH606H | AGMH606C | AGMH605C | AGMH403A1 | AGM308MBP
Popular searches
2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent


