KDS3601 - описание и поиск аналогов

 

KDS3601. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KDS3601

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для KDS3601

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS3601 даташит

 ..1. Size:62K  kexin
 kds3601.pdf pdf_icon

KDS3601

SMD Type IC SMD Type IC 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET KDS3601 Features 1.3 A, 100 V. RDS(ON) = 480m @VGS =10 V RDS(ON) = 530m @VGS =6V Low gate charge (3.7 nC typical) Fast switching speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON) High power and current handling capability Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain to Source Volt

Другие MOSFET... KDC6020C , KDD2572 , KDD3670 , KDD3680 , KDD6030L , KDR8702H , KDS2572 , KDS3512 , 60N06 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 , KDS5670 , KDS6375 , KDS6685 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.