Справочник MOSFET. KDS4470

 

KDS4470 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDS4470
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 605 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KDS4470

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS4470 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  kexin
 kds4470.pdf pdf_icon

KDS4470

SMD Type ICSMD Type IC40V N-Channel PowerTrench MOSFETKDS4470Features12.5 A, 40V. RDS(ON) =9m @VGS =10VLow gate charge (45 nC typical)High performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain to Source Voltage VDSS 40 VGate to Source Voltage VGS +30/-20 VDrain

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: APT1004R2GN | FDD8882 | NDF08N50Z

 

 
Back to Top

 


 
.