Справочник MOSFET. KDS5670

 

KDS5670 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDS5670
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 685 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS5670 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  kexin
 kds5670.pdf pdf_icon

KDS5670

SMD Type ICSMD Type IC60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFETKDS5670Features10 A, 60 V. RDS(ON) = 0.014 @VGS =10 VRDS(ON) = 0.017 @VGS =6 VLow gate chargeFast switching speed.High performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain to Source Voltage VDSS 60 VGate

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A | SRT08N025HT

 

 
Back to Top

 


 
.