Справочник MOSFET. KDS5670

 

KDS5670 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDS5670
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 685 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KDS5670

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS5670 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  kexin
 kds5670.pdf pdf_icon

KDS5670

SMD Type ICSMD Type IC60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFETKDS5670Features10 A, 60 V. RDS(ON) = 0.014 @VGS =10 VRDS(ON) = 0.017 @VGS =6 VLow gate chargeFast switching speed.High performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain to Source Voltage VDSS 60 VGate

Другие MOSFET... KDS2572 , KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 , IRF740 , KDS6375 , KDS6685 , KDS6910 , KDS8333C , KDS8928A , KDS8958 , KDS9952A , KDV303N .

History: ATP102 | IRF9543

 

 
Back to Top

 


 
.