KDS5670 - описание и поиск аналогов

 

KDS5670. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KDS5670

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 685 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для KDS5670

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS5670 даташит

 ..1. Size:62K  kexin
 kds5670.pdf pdf_icon

KDS5670

SMD Type IC SMD Type IC 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET KDS5670 Features 10 A, 60 V. RDS(ON) = 0.014 @VGS =10 V RDS(ON) = 0.017 @VGS =6 V Low gate charge Fast switching speed. High performance trench technology for extremely low RDS(ON) High power and current handling capability Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain to Source Voltage VDSS 60 V Gate

Другие MOSFET... KDS2572 , KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 , IRF740 , KDS6375 , KDS6685 , KDS6910 , KDS8333C , KDS8928A , KDS8958 , KDS9952A , KDV303N .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.