Справочник MOSFET. KDS6910

 

KDS6910 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDS6910
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KDS6910

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS6910 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  kexin
 kds6910.pdf pdf_icon

KDS6910

SMD Type ICSMD Type ICDual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETKDS6910Features7.5A, 30V. RDS(ON) = 13m @VGS =10 VRDS(ON) = 17m @VGS =4.5VLow gate chargeFast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain to Source Voltage VDSS 30 V

Другие MOSFET... KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 , KDS5670 , KDS6375 , KDS6685 , IRF540 , KDS8333C , KDS8928A , KDS8958 , KDS9952A , KDV303N , KDW2503N , KDW2504P , KDW2521C .

History: 3SK87

 

 
Back to Top

 


 
.