KDS6910. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KDS6910
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для KDS6910
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
KDS6910 даташит
kds6910.pdf
SMD Type IC SMD Type IC Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET KDS6910 Features 7.5A, 30V. RDS(ON) = 13m @VGS =10 V RDS(ON) = 17m @VGS =4.5V Low gate charge Fast switching speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON) High power and current handling capability Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain to Source Voltage VDSS 30 V
Другие MOSFET... KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 , KDS5670 , KDS6375 , KDS6685 , IRF540N , KDS8333C , KDS8928A , KDS8958 , KDS9952A , KDV303N , KDW2503N , KDW2504P , KDW2521C .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet

