Справочник MOSFET. KDS6910

 

KDS6910 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDS6910
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS6910 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  kexin
 kds6910.pdf pdf_icon

KDS6910

SMD Type ICSMD Type ICDual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETKDS6910Features7.5A, 30V. RDS(ON) = 13m @VGS =10 VRDS(ON) = 17m @VGS =4.5VLow gate chargeFast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain to Source Voltage VDSS 30 V

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SK1403A | APT4030CNR | 2SK3289 | SI1402DH | 2N4338 | IRFF9220 | C3028LD

 

 
Back to Top

 


 
.