Справочник MOSFET. KDS8958

 

KDS8958 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDS8958
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 173 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KDS8958

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS8958 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  kexin
 kds8958.pdf pdf_icon

KDS8958

SMD Type ICSMD Type TransistorsDual N & P-Channel PowerTrench MOSFETKDS8958FeaturesN-Channel7.0 A, 30 V RDS(ON) = 0.028 @VGS =10VRDS(ON) = 0.040 @VGS =4.5VP-Channel-5 A, -30 V RDS(ON) = 0.052 @VGS =- 10 VRDS(ON) = 0.080 @VGS =-4.5VFast switching speedHigh power and handling capability in a widelyused surface mount packageAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Sy

 9.1. Size:85K  kexin
 kds8928a.pdf pdf_icon

KDS8958

SMD Type ICSMD Type TransistorsDual N & P-Channel EnhancementMode Field Effect TransistorKDS8928AFeaturesN-Channel5.5A, 30 V RDS(ON) = 0.030 @VGS =4.5VRDS(ON) = 0.038 @VGS =2.5VP-Channel-4 A, -20 V RDS(ON) = 0.055 @VGS =- 4.5 VRDS(ON) = 0.070 @VGS =-2.5VHigh density cell design for extremely low RDS(ON).High power and handling capability in a widelyused surface mount

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.