Справочник MOSFET. KDS8958

 

KDS8958 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDS8958
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 173 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KDS8958

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS8958 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  kexin
 kds8958.pdf pdf_icon

KDS8958

SMD Type ICSMD Type TransistorsDual N & P-Channel PowerTrench MOSFETKDS8958FeaturesN-Channel7.0 A, 30 V RDS(ON) = 0.028 @VGS =10VRDS(ON) = 0.040 @VGS =4.5VP-Channel-5 A, -30 V RDS(ON) = 0.052 @VGS =- 10 VRDS(ON) = 0.080 @VGS =-4.5VFast switching speedHigh power and handling capability in a widelyused surface mount packageAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Sy

 9.1. Size:85K  kexin
 kds8928a.pdf pdf_icon

KDS8958

SMD Type ICSMD Type TransistorsDual N & P-Channel EnhancementMode Field Effect TransistorKDS8928AFeaturesN-Channel5.5A, 30 V RDS(ON) = 0.030 @VGS =4.5VRDS(ON) = 0.038 @VGS =2.5VP-Channel-4 A, -20 V RDS(ON) = 0.055 @VGS =- 4.5 VRDS(ON) = 0.070 @VGS =-2.5VHigh density cell design for extremely low RDS(ON).High power and handling capability in a widelyused surface mount

Другие MOSFET... KDS4559 , KDS4953 , KDS5670 , KDS6375 , KDS6685 , KDS6910 , KDS8333C , KDS8928A , IRF640 , KDS9952A , KDV303N , KDW2503N , KDW2504P , KDW2521C , KDW258P , KE3587-G , KF10N65F .

 

 
Back to Top

 


 
.