KDS8958 - описание и поиск аналогов

 

KDS8958. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KDS8958

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 173 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для KDS8958

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS8958 даташит

 ..1. Size:78K  kexin
 kds8958.pdf pdf_icon

KDS8958

SMD Type IC SMD Type Transistors Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET KDS8958 Features N-Channel 7.0 A, 30 V RDS(ON) = 0.028 @VGS =10V RDS(ON) = 0.040 @VGS =4.5V P-Channel -5 A, -30 V RDS(ON) = 0.052 @VGS =- 10 V RDS(ON) = 0.080 @VGS =-4.5V Fast switching speed High power and handling capability in a widely used surface mount package Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Sy

 9.1. Size:85K  kexin
 kds8928a.pdf pdf_icon

KDS8958

SMD Type IC SMD Type Transistors Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor KDS8928A Features N-Channel 5.5A, 30 V RDS(ON) = 0.030 @VGS =4.5V RDS(ON) = 0.038 @VGS =2.5V P-Channel -4 A, -20 V RDS(ON) = 0.055 @VGS =- 4.5 V RDS(ON) = 0.070 @VGS =-2.5V High density cell design for extremely low RDS(ON). High power and handling capability in a widely used surface mount

Другие MOSFET... KDS4559 , KDS4953 , KDS5670 , KDS6375 , KDS6685 , KDS6910 , KDS8333C , KDS8928A , IRFP460 , KDS9952A , KDV303N , KDW2503N , KDW2504P , KDW2521C , KDW258P , KE3587-G , KF10N65F .

History: RUH3030M3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.