Справочник MOSFET. KDW2521C

 

KDW2521C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KDW2521C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 277 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8

 Аналог (замена) для KDW2521C

 

 

KDW2521C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  kexin
 kdw2521c.pdf

KDW2521C KDW2521C

SMD Type ICSMD Type ICComplementary PowerTrench MOSFETKDW2521CFeaturesTSSOP-8Unit: mmN-Channel5.5A, 20V RDS(ON) =21m @VGS =4.5 VRDS(ON) = 35m @VGS =2.5VP-Channel-3.8 A, 20 V RDS(ON) =43m @ VGS =- 4.5 VRDS(ON) =70m @VGS =-2.5VHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P- Channel UnitDrain

 9.1. Size:62K  kexin
 kdw2504p.pdf

KDW2521C KDW2521C

SMD Type ICSMD Type ICDual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETKDW2504PTSSOP-8FeaturesUnit: mm-3.8 A, - 20 V. RDS(ON) = 0.043 @VGS =-4.5VRDS(ON) = 0.070 @VGS =-2.5VLow gate chargeHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)Extended VGSS range ( 12V) for battery applicationsAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain to Sou

 9.2. Size:63K  kexin
 kdw2503n.pdf

KDW2521C KDW2521C

SMD Type ICSMD Type ICDual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETKDW2503NTSSOP-8FeaturesUnit: mm5.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.021 @VGS =4.5 VRDS(ON) = 0.035 @VGS =2.5VFast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)Extended VGSS range ( 12V) for battery applicationsAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain to So

 9.3. Size:62K  kexin
 kdw258p.pdf

KDW2521C KDW2521C

SMD Type ICSMD Type ICP-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFETKDW258PTSSOP-8FeaturesUnit: mm-9 A, -12 V. RDS(ON) = 11m @VGS =-4.5VRDS(ON) = 14m @VGS =-2.5VRDS(ON) = 20m @VGS =-1.8VRds ratings for use with 1.8 V logicHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)1,5,8: DrainLow gate charge2,3,6,7: SourceLow profile TSSOP-8 package4: GateAbsolute

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top