OM1N100SA - аналоги и даташиты транзистора

 

OM1N100SA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: OM1N100SA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.2 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA
 

 Аналог (замена) для OM1N100SA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OM1N100SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:41K  omnirel
 om1n100sa.pdf pdf_icon

OM1N100SA

OM1N100SA OM5N100SA OM1N100STOM3N100SA OM6N100SA OM3N100STPOWER MOSFET IN HERMETIC ISOLATEDJEDEC PACKAGE1000V, Up To 6 Amp, N-ChannelMOSFET In Hermetic Metal PackageFEATURES Isolated Hermetic Metal Package Fast Switching Low RDS(on) Available Screened To MIL-19500, TX, TXV And S Ceramic Feedthroughs Also AvailableDESCRIPTIONThis series of hermetically pa

Другие MOSFET... NDT452AP , NDT452P , NDT453N , NDT454P , NDT455N , NDT456P , OM11N55SA , OM11N60SA , IRF640N , OM1N100ST , OM3N100SA , OM3N100ST , OM5N100SA , OM6N100SA , PHB11N50E , PHB125N06LT , PHB130N03LT .

History: BUK7509-55A

 

 
Back to Top

 


 
.