PHB11N50E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHB11N50E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: SOT404

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PHB11N50E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB11N50E даташит

 ..1. Size:35K  philips
 php11n50e phb11n50e phw11n50e.pdf pdf_icon

PHB11N50E

Philips Semiconductors Preliminary specification PowerMOS transistors PHP11N50E, PHB11N50E, PHW11N50E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 10.4 A g Low thermal resistance RDS(ON) 0.6 s GENERAL DESCRIPTI

 ..2. Size:102K  philips
 phb11n50e phw11n50e 1.pdf pdf_icon

PHB11N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHB11N50E, PHW11N50E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 10.9 A g Low thermal resistance RDS(ON) 0.55 s GENERAL DESCRIPTION N-channel,

 8.1. Size:113K  philips
 phb11n06lt.pdf pdf_icon

PHB11N50E

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP11N06LT, PHB11N06LT Logic level FET PHD11N06LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 55 V Low on-state resistance Fast switching ID = 10.5 A Logic level compatible RDS(ON) 150 m (VGS = 5 V) g RDS(ON) 130 m (VGS = 10 V) s GENERAL DESCRIPT

 8.2. Size:114K  philips
 phb11n06lt phd11n06lt php11n06lt 3.pdf pdf_icon

PHB11N50E

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP11N06LT, PHB11N06LT Logic level FET PHD11N06LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 55 V Low on-state resistance Fast switching ID = 10.5 A Logic level compatible RDS(ON) 150 m (VGS = 5 V) g RDS(ON) 130 m (VGS = 10 V) s GENERAL DESCRIPT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OM11N55SA, OM11N60SA, OM1N100SA, OM1N100ST, OM3N100SA, OM3N100ST, OM5N100SA, OM6N100SA, IRF3710, PHB125N06LT, PHB130N03LT, PHB21N06LT, PHB24N03LT, PHB2N50E, PHB2N60E, PHB37N06LT, PHB3N40E