KI4511DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KI4511DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для KI4511DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KI4511DY даташит

 ..1. Size:58K  renesas
 ki4511dy.pdf pdf_icon

KI4511DY

SMD Type IC SMD Type Transistors N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET KI4511DY Features TrenchFET Power MOSFET Absolute Maximum Ratings TA =25 N-Channel P-Channel Parameter Symbol Unit 10 sec Steady State 10 sec Steady State Drain-Source Voltage VDS 20 -20 V Gate-Source Voltage VGS 16 12 V Continuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 9.6 7.2 -6.2 -4.6 A ID TA =70 7.7 5.8 -4.9 -3.7 A

Другие IGBT... KI4433DY, KI4453DY, KI4464DY, KI4500BDY, KI4501ADY, KI4501DY, KI4503DY, KI4505DY, IRF830, KI4532ADY, KI4532DY, KI4539ADY, KI4542DY, KI4544DY, KI4558DY, KI4559EY, KI4562DY