KI4511DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KI4511DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
KI4511DY Datasheet (PDF)
ki4511dy.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsN- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFETKI4511DYFeaturesTrenchFET Power MOSFETAbsolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit10 sec Steady State 10 sec Steady StateDrain-Source Voltage VDS 20 -20 VGate-Source Voltage VGS 16 12 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 9.6 7.2 -6.2 -4.6 AIDTA =70 7.7 5.8 -4.9 -3.7 A
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918