KMB075N75P - описание и поиск аналогов

 

KMB075N75P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KMB075N75P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для KMB075N75P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMB075N75P даташит

 ..1. Size:430K  kec
 kmb075n75p.pdf pdf_icon

KMB075N75P

KMB075N75P SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description A This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast O C switching time, low on resistance, low gate charge and excellent F avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor E DIM MILLIMETERS G _ + correction , electronic lamp ballasts based o

Другие MOSFET... KI5903DC , KI5904DC , KI5905DC , KI5908DC , KI5935DC , KI5P03DY , KI6968BEDQ , KI7540DP , IRF630 , KMDF2C03HD , KML0D4N20E , KML0D4P20E , KN0606L , KO3402 , KO3403 , KO3404 , KO3407 .

History: KMB035N40DB

 

 

 

 

↑ Back to Top
.