Справочник MOSFET. KMB075N75P

 

KMB075N75P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: KMB075N75P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 85 nC

Время нарастания (tr): 300 ns

Выходная емкость (Cd): 1100 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для KMB075N75P

 

 

KMB075N75P Datasheet (PDF)

1.1. kmb075n75p.pdf Size:430K _update_mosfet

KMB075N75P
KMB075N75P

KMB075N75P SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description A This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast O C switching time, low on resistance, low gate charge and excellent F avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor E DIM MILLIMETERS G _ + correction , electronic lamp ballasts based o

Другие MOSFET... NTF5P03T3 , NTF6P02 , NTGD1100L , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , IRF540N , NTGS3441 , NTGS3443 , NTGS3446 , NTGS3455 , NTGS4111P , NTGS4141N , NTGS5120P , NTHC5513 .

 

 

Back to Top

 


KMB075N75P
  KMB075N75P
  KMB075N75P
  KMB075N75P
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: NVJD4152P | NVGS5120P | NVGS4141N | NVGS4111P | NVGS3443 | NVGS3441 | NVGS3136P | NVGS3130N | NVF6P02 | NVF5P03 | NVF3055L108 | NVF3055-100 | NVF2955 | NVF2201N | NVE4153N |
 

 

 

 
Back to Top