KP11N60D - описание и поиск аналогов

 

KP11N60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KP11N60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для KP11N60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KP11N60D даташит

 ..1. Size:380K  kec
 kp11n60d.pdf pdf_icon

KP11N60D

KP11N60D SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description This Super Junction MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent A K DIM MILLIMETERS L avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor C D _ A 6.60 + 0.20 _ B 6.10 + 0.20 correction and swit

 7.1. Size:382K  kec
 kp11n60f.pdf pdf_icon

KP11N60D

KP11N60F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description C A This Super Junction MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor E DIM MILLIMETERS _ A 10.16 0.2 + correction and switching mode power suppl

Другие MOSFET... KO3407 , KO3409 , KO3413 , KO3414 , KO3416 , KO3419 , KO3423 , KO8822 , 13N50 , KP11N60F , KP819AC , KP821A , KP821B , KP826AC , KP8M10 , KP8M3 , KP8M4 .

History: NTD5804NT4G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.