Справочник MOSFET. KP978GC

 

KP978GC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KP978GC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 146 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Тип корпуса: KT-81
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KP978GC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  syntez microelectronics
kp978gc.pdfpdf_icon

KP978GC

Syntez MicroelectronicsSILICON MOS N-CHANNEL RF POWER TRANSISTORKP978GC40 W, up to 500 MHz, Enhancement Mode________________________________________________Designed primarily for wideband largesignal outputand driver from 30500 MHz.Features: Performance at 500 MHz, 28 Vdc Power Gain: 12 dB Min Output Power: 40 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum Ratings

 9.1. Size:95K  syntez microelectronics
kp978vc.pdfpdf_icon

KP978GC

Syntez MicroelectronicsSILICON MOS N-CHANNEL RF POWER TRANSISTORKP978VC20 W, up to 500 MHz, Enhancement Mode________________________________________________Designed primarily for wideband largesignal outputand driver from 30500 MHz.Features: Performance at 500 MHz, 28 Vdc Power Gain: 12 dB Min Output Power: 20 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum Ratings

 9.2. Size:99K  syntez microelectronics
kp978a.pdfpdf_icon

KP978GC

Syntez MicroelectronicsSILICON MOS N-CHANNEL RF POWER TRANSISTORKP978A5 W, up to 500 MHz, Enhancement Mode________________________________________________Designed primarily for wideband largesignal outputand driver from 30500 MHz.Features: Performance at 500 MHz, 28 Vdc Power Gain: 13 dB Min Output Power: 5 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum RatingsPa

 9.3. Size:95K  syntez microelectronics
kp978bc.pdfpdf_icon

KP978GC

Syntez MicroelectronicsSILICON MOS N-CHANNEL RF POWER TRANSISTORKP978BC10 W, up to 500 MHz, Enhancement Mode________________________________________________Designed primarily for wideband largesignal outputand driver from 30500 MHz.Features: Performance at 500 MHz, 28 Vdc Power Gain: 13 dB Min Output Power: 10 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum Ratings

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ZXMN0545G4 | SE4060 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.