Справочник MOSFET. KPA1790

 

KPA1790 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KPA1790
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KPA1790 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:676K  tysemi
kpa1790.pdfpdf_icon

KPA1790

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Typ

 8.1. Size:57K  renesas
kpa1793.pdfpdf_icon

KPA1790

SMD Type ICSMD Type ICMOS Field Effect TransistorKPA1793FeaturesLow on-state resistanceN-channel RDS(on)1 =69 m MAX. (VGS =10 V, ID =1.5 A)RDS(on)2 =72 m MAX. (VGS =4.0 V, ID =1.5 A)RDS(on)3 = 107 m MAX. (VGS =2.5 V, ID =1.0 A)P-channel RDS(on)1 = 115 m MAX. (VGS =-4.5 V, ID =-1.5A)RDS(on)2 = 120 m MAX. (VGS =-4.0V, ID =-1.5 A)RDS(on)3 = 190 m MAX. (VGS =-2.5V, ID =-1.0 A)

 8.2. Size:485K  tysemi
kpa1792.pdfpdf_icon

KPA1790

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Typ

 9.1. Size:154K  tysemi
kpa1716.pdfpdf_icon

KPA1790

SMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICProduct specificationKPA1716FeaturesLow on-state resistanceRDS(on)1 = 12.5 m TYP. (VGS =-10 V, ID =-4 A)RDS(on)2 =17 m TYP. (VGS =-4.5 V, ID =-4A)RDS(on)3 =19 m TYP. (VGS = -4.01 V, ID =-4 A)Low Ciss : Ciss = 2100 pF TYP.Built-in G-S protection diodeSmall and surface mount package

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.