Справочник MOSFET. KQB12P20

 

KQB12P20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KQB12P20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 195 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.47 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KQB12P20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  tysemi
 kqb12p20.pdf pdf_icon

KQB12P20

SMD Type TransistorsSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsProduct specificationKQB12P20TO-263Unit: mmFeatures4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.1-11.5A, -200V, RDS(on) =0.47 @VGS =-10 VLow gate charge ( typical 31 nC)Low Crss ( typical 30pF)Fast switching+0.10.1max1.27-0.1100% avalanche te

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.