Справочник MOSFET. KQB12P20

 

KQB12P20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KQB12P20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 195 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.47 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для KQB12P20

 

 

KQB12P20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  tysemi
 kqb12p20.pdf

KQB12P20 KQB12P20

SMD Type TransistorsSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsProduct specificationKQB12P20TO-263Unit: mmFeatures4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.1-11.5A, -200V, RDS(on) =0.47 @VGS =-10 VLow gate charge ( typical 31 nC)Low Crss ( typical 30pF)Fast switching+0.10.1max1.27-0.1100% avalanche te

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top