KQB12P20 - аналоги и даташиты транзистора

 

KQB12P20 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KQB12P20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 195 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.47 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для KQB12P20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQB12P20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  tysemi
 kqb12p20.pdf pdf_icon

KQB12P20

SMD Type TransistorsSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsProduct specificationKQB12P20TO-263Unit: mmFeatures4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.1-11.5A, -200V, RDS(on) =0.47 @VGS =-10 VLow gate charge ( typical 31 nC)Low Crss ( typical 30pF)Fast switching+0.10.1max1.27-0.1100% avalanche te

Другие MOSFET... KPA1792 , KPA1793 , KPA1816 , KPA1871 , KPA1873 , KPA1890 , KPA2790GR , KPCF8402 , P0903BDG , KQB27P06 , KQB2N30 , KQB2N50 , KQB2N60 , KQB2N80 , KQB3N30 , KQB3N40 , KQB4N50 .

History: STD5NM50T4 | SVF4N60CAFJ | AON6920

 

 
Back to Top

 


 
.