KQB12P20 - описание и поиск аналогов

 

KQB12P20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KQB12P20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 31 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 195 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.47 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для KQB12P20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQB12P20 даташит

 ..1. Size:195K  tysemi
 kqb12p20.pdf pdf_icon

KQB12P20

SMD Type Transistors SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type Transistors SMD Type Transistors Product specification KQB12P20 TO-263 Unit mm Features 4.57+0.2 -0.2 +0.1 1.27-0.1 -11.5A, -200V, RDS(on) =0.47 @VGS =-10 V Low gate charge ( typical 31 nC) Low Crss ( typical 30pF) Fast switching +0.1 0.1max 1.27-0.1 100% avalanche te

Другие MOSFET... KPA1792 , KPA1793 , KPA1816 , KPA1871 , KPA1873 , KPA1890 , KPA2790GR , KPCF8402 , IRF830 , KQB27P06 , KQB2N30 , KQB2N50 , KQB2N60 , KQB2N80 , KQB3N30 , KQB3N40 , KQB4N50 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.