KQB3N30 - описание и поиск аналогов

 

KQB3N30. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KQB3N30

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для KQB3N30

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQB3N30 даташит

 ..1. Size:112K  tysemi
 kqb3n30.pdf pdf_icon

KQB3N30

SMD Type IC SMD Type Transistors Product specification KQB3N30 TO-263 Unit mm Features 4.57+0.2 -0.2 +0.1 1.27-0.1 3.2A, 300 V. RDS(ON) =2.2 @VGS =10V Low gate charge (typical 5.5nC) Low Crss(typical 6.0pF) Fast switching +0.1 0.1max 1.27-0.1 100% avalanche tested lmproved dv/dt capability 0.81+0.1 -0.1 2.54 1gate 1Gate 2.54+0.2 +0.2 -0.2 +0.1 5.08-0.1 0.4-0.2 2drai

 9.1. Size:130K  tysemi
 kqb3n40.pdf pdf_icon

KQB3N30

SMD Type IC SMD Type Transistors SMDType SMDType IC Product specification KQB3N40 TO-263 Unit mm Features 2.5A, 400 V. RDS(ON) =3.4 @VGS =10V 4.57+0.2 -0.2 +0.1 1.27-0.1 Low gate charge (typical 6.0nC) Low Crss(typical 4.2pF) Fast switching 100% avalanche tested +0.1 0.1max 1.27-0.1 lmproved dv/dt capability 0.81+0.1 -0.1 2.54 1gate 1Gate 2.54+0.2 +0.2 -0.2 +0.1 5.

Другие MOSFET... KPA2790GR , KPCF8402 , KQB12P20 , KQB27P06 , KQB2N30 , KQB2N50 , KQB2N60 , KQB2N80 , EMB04N03H , KQB3N40 , KQB4N50 , KQB4P40 , KQB5N20 , KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , KQB6N70 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.