PHB4N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHB4N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: SOT404

Аналог (замена) для PHB4N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB4N60E даташит

 ..1. Size:80K  philips
 php4n60e phb4n60e.pdf pdf_icon

PHB4N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP4N60E, PHB4N60E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 4.5 A g Low thermal resistance RDS(ON) 2.5 s GENERAL DESCRIPTION N-channel, enh

 9.1. Size:260K  philips
 phb4nd40e.pdf pdf_icon

PHB4N60E

Другие IGBT... PHB2N60E, PHB37N06LT, PHB3N40E, PHB3N50E, PHB3N60E, PHB42N03LT, PHB44N06LT, PHB45N03LT, IRF9540N, PHB50N03LT, PHB50N06LT, PHB55N03LT, PHB60N06LT, PHB65N06LT, PHB69N03LT, PHB6N50E, PHB6N60E