Справочник MOSFET. PHB4N60E

 

PHB4N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHB4N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT404
 

 Аналог (замена) для PHB4N60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB4N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  philips
 php4n60e phb4n60e.pdf pdf_icon

PHB4N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP4N60E, PHB4N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 4.5 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 2.5 sGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enh

 9.1. Size:260K  philips
 phb4nd40e.pdf pdf_icon

PHB4N60E

Другие MOSFET... PHB2N60E , PHB37N06LT , PHB3N40E , PHB3N50E , PHB3N60E , PHB42N03LT , PHB44N06LT , PHB45N03LT , IRF1010E , PHB50N03LT , PHB50N06LT , PHB55N03LT , PHB60N06LT , PHB65N06LT , PHB69N03LT , PHB6N50E , PHB6N60E .

History: SML6070BN

 

 
Back to Top

 


 
.