L1N60A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: L1N60A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11.5 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для L1N60A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

L1N60A даташит

 ..1. Size:212K  lrc
 l1n60a l1n60f l1n60i.pdf pdf_icon

L1N60A

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. L1N60 1.0 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET 1 2 3 TO-251-3L DESCRIPTION The LRC L1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate 1 charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche 2 3 TO-220F-3L characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed sw

 9.1. Size:415K  lrc
 l1n60.pdf pdf_icon

L1N60A

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Power MOSFET L1N60 1.2 Amps, 600 Volts N Channel The LRC L1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche 1 TO- 251 characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power suppli

Другие IGBT... KVN4525Z, KVP4424Z, KW306, KX020N06, KX7N10L, KXP20N15, KXU03N25, KXU05N25, 50N06, L1N60F, L1N60I, L2N60D, L2N60F, L2N60I, L2N60P, L2N7002DMT1G, L2N7002DW1T1G