Справочник MOSFET. LND150K1

 

LND150K1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LND150K1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.013 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 450 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1000 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для LND150K1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LND150K1 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:621K  supertex
 lnd150.pdf pdf_icon

LND150K1

LND150N-Channel Depletion-ModeDMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown The LND150 is a high voltage N-channel depletion mode Low power drive requirement (normally-on) transistor utilizing Supertexs lateral DMOS Ease of paralleling technology. The gate is ESD protected. Excellent thermal stability Integral source-drain diode The LND1

Другие MOSFET... L2SK3019LT1G , LDN9926ET1G , LDP9933ET1G , LF2802A , LF2805A , LJ2015-53 , LN100 , LND01 , 7N65 , LND150N3 , LND150N8 , LNTA4001NT1G , LNTA7002NT1G , LNTR4003NLT1G , LO4459PT1G , LP0701LG , LP0701N3 .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.