PHB7N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHB7N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: SOT404

Аналог (замена) для PHB7N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB7N60E даташит

 ..1. Size:91K  philips
 php7n60e phb7n60e phw7n60e.pdf pdf_icon

PHB7N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP7N60E, PHB7N60E, PHW7N60E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 7 A g Low thermal resistance RDS(ON) 1.2 s GENERAL DESCRIPTION N-chan

Другие IGBT... PHB50N06LT, PHB55N03LT, PHB60N06LT, PHB65N06LT, PHB69N03LT, PHB6N50E, PHB6N60E, PHB6ND50E, 13N50, PHB80N06LT, PHB87N03LT, PHB8N50E, PHB8ND50E, PHB9N60E, PHD10N10E, PHD12N10E, PHD2N50E