PHB80N06LT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHB80N06LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SOT404

Аналог (замена) для PHB80N06LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB80N06LT даташит

 ..1. Size:57K  philips
 phb80n06lt.pdf pdf_icon

PHB80N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB80N06LT Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 V mounting. Using trench technology ID Drain current (DC)1 75 A the device fe

 6.1. Size:56K  philips
 phb80n06t 1.pdf pdf_icon

PHB80N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB80N06T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 V suitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC)1 75 A trench technology the devi

Другие IGBT... PHB55N03LT, PHB60N06LT, PHB65N06LT, PHB69N03LT, PHB6N50E, PHB6N60E, PHB6ND50E, PHB7N60E, AON7410, PHB87N03LT, PHB8N50E, PHB8ND50E, PHB9N60E, PHD10N10E, PHD12N10E, PHD2N50E, PHD2N60E