PHB80N06LT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHB80N06LT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 75 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm
Тип корпуса: SOT404
Аналог (замена) для PHB80N06LT
PHB80N06LT Datasheet (PDF)
phb80n06lt.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB80N06LT Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 Vmounting. Using trench technology ID Drain current (DC)1 75 Athe device fe
phb80n06t 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB80N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC)1 75 Atrench technology the devi
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
