LRK7002WT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: LRK7002WT1G
Маркировка: 6C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.225 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.115 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 10 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 7.5 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для LRK7002WT1G
LRK7002WT1G Datasheet (PDF)
lrk7002wt1g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Small Signal MOSFETLRK7002WT1GSilicon N-Channel3 Features11) Low on-resistance.22) Fast switching speed.3) Low-voltage drive.SOT-23 (TO-236AB)4) Easily designed drive circuits.5) Easy to parallel.6) Pb-Free package is available.3 Device Marking and Ordering Information1Device Marking Shipping6C 3000/Tape&Reel6CLRK7002WT1GG
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .