Справочник MOSFET. LS165

 

LS165 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LS165
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 300 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для LS165

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LS165 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  linear-systems
 ls165 ls166.pdf pdf_icon

LS165

3N/LS165, 3N/LS166 MONOLITHIC DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET FEATURES VERY HIGH INPUT IMPEDANCE HIGH GATE BREAKDOWN LS3N165, LS3N166 3N165, 3N166 ULTRA LOW LEAKAGE LOW CAPACITANCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 1) (T =25C unless otherwise noted) ADrain-Source or Drain-Gate Voltage (NOTE 2) 3N165 40 V 3N166 30 V Gate-Gate Voltage 80 V SOIC TO-99 Drai

Другие MOSFET... LP2307LT1G , LP3401LT1G , LP3407LT1G , LP3443LT1G , LP4101LT1G , LP4411ET1G , LP9435LT1G , LRK7002WT1G , AON7506 , LS166 , LS370 , LS371 , LSI1012XT1G , LXP152ALT1G , NUS5530MNR2G , NVA4001N , NVA4153N .

History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S

 

 
Back to Top

 


 
.