Справочник MOSFET. LS370

 

LS370 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LS370
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 35 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 135 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
   Тип корпуса: SOT-143
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

LS370 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  linear-systems
 ls370 ls371.pdf pdf_icon

LS370

3N170 3N171 N-CHANNEL MOSFET ENHANCEMENT MODE FEATURES Direct Replacement for INTERSIL 3N170 & 3N171 LOW DRAIN TO SOURCE RESISTANCE r 200 ds(on) LS370, 71 3N170, 71 FAST SWITCHING td(on) 3.0ns ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 SOT-143 @ 25 C (unless otherwise stated) TOP VIEW Maximum Temperatures Storage Temperature -65 to +150 C Operating Junction Temperatu

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: NVTFS4C08N | VBP165R20S | 2SK3609-01 | BUK9E1R9-40E | IRF2903ZLPBF | NTMS4802NR2G | FQD7P06

 

 
Back to Top

 


 
.