NUS5530MNR2G - описание и поиск аналогов

 

NUS5530MNR2G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NUS5530MNR2G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: DFN8

Аналог (замена) для NUS5530MNR2G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NUS5530MNR2G даташит

 ..1. Size:162K  onsemi
 nus5530mnr2g.pdf pdf_icon

NUS5530MNR2G

NUS5530MN Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor This integrated device represents a new level of safety and board-space reduction by combining the 20 V P-Channel FET with a http //onsemi.com PNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integrated product provides higher efficiency and accuracy for battery powered portable electronics. 1 8 Feat

 5.1. Size:163K  onsemi
 nus5530mn.pdf pdf_icon

NUS5530MNR2G

NUS5530MN Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor This integrated device represents a new level of safety and board-space reduction by combining the 20 V P-Channel FET with a http //onsemi.com PNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integrated product provides higher efficiency and accuracy for battery powered portable electronics. 1 8 Feat

 8.1. Size:146K  onsemi
 nus5531mt.pdf pdf_icon

NUS5530MNR2G

NUS5531MT Main Switch Power MOSFET and Single Charging BJT -12 V, -6.2 A, Single P-Channel FET with http //onsemi.com Single PNP low Vce(sat) Transistor, 3x3 mm WDFN Package MOSFET V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX This device integrates one high performance power MOSFET and one low Vce(sat) transistor, greatly reducing the layout space and 32 mW @ -4.5 V -12 V -6.2 A optimizing charging

Другие MOSFET... LP9435LT1G , LRK7002WT1G , LS165 , LS166 , LS370 , LS371 , LSI1012XT1G , LXP152ALT1G , STP80NF70 , NVA4001N , NVA4153N , NVA7002NT1G , NVB25P06 , NVB5404N , NVB5426N , NVB5860N , NVB5860NL .

History: LSC65R180GT | WMLL020N10HG4 | WM02P160R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.