NVA4153N - аналоги и даташиты транзистора

 

NVA4153N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NVA4153N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.915 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: SOT-416
 

 Аналог (замена) для NVA4153N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVA4153N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:67K  onsemi
 nva4153n nve4153n.pdf pdf_icon

NVA4153N

NTA4153N, NTE4153N,NVA4153N, NVE4153NSmall Signal MOSFET20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89http://onsemi.comFeatures Low RDS(on) Improving System EfficiencyV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated0.127 W @ 4.5 V ESD Protected Gate0.170 W @ 2.5 V20 V 915 mA NV Prefix for Automotive and Other Application

 ..2. Size:72K  onsemi
 nta4153n nte4153n nva4153n nve4153n.pdf pdf_icon

NVA4153N

NTA4153N, NTE4153N,NVA4153N, NVE4153NSmall Signal MOSFET20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89http://onsemi.comFeatures Low RDS(on) Improving System EfficiencyV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated0.127 W @ 4.5 V ESD Protected Gate0.170 W @ 2.5 V20 V 915 mA NV Prefix for Automotive and Other Application

Другие MOSFET... LS165 , LS166 , LS370 , LS371 , LSI1012XT1G , LXP152ALT1G , NUS5530MNR2G , NVA4001N , IRFZ24N , NVA7002NT1G , NVB25P06 , NVB5404N , NVB5426N , NVB5860N , NVB5860NL , NVB60N06 , NVB6410AN .

History: IPW65R150CFDA | IPB054N08N3G | IPW65R041CFD | AOD492 | AP03N40AP-HF | WML90R260S | FCB260N65S3

 

 
Back to Top

 


 
.