NVB25P06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVB25P06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для NVB25P06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVB25P06 даташит

 ..1. Size:129K  onsemi
ntb25p06 nvb25p06.pdfpdf_icon

NVB25P06

 ..2. Size:125K  onsemi
ntb25p06g nvb25p06.pdfpdf_icon

NVB25P06

Другие IGBT... LS370, LS371, LSI1012XT1G, LXP152ALT1G, NUS5530MNR2G, NVA4001N, NVA4153N, NVA7002NT1G, BS170, NVB5404N, NVB5426N, NVB5860N, NVB5860NL, NVB60N06, NVB6410AN, NVB6411AN, NVB6412AN