NVB25P06 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NVB25P06 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для NVB25P06
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NVB25P06 даташит
Другие IGBT... LS370, LS371, LSI1012XT1G, LXP152ALT1G, NUS5530MNR2G, NVA4001N, NVA4153N, NVA7002NT1G, BS170, NVB5404N, NVB5426N, NVB5860N, NVB5860NL, NVB60N06, NVB6410AN, NVB6411AN, NVB6412AN
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
Popular searches
bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor


