Справочник MOSFET. NVB25P06

 

NVB25P06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: NVB25P06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 15 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 27.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 33 nC

Время нарастания (tr): 72 ns

Выходная емкость (Cd): 345 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.075 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для NVB25P06

 

 

NVB25P06 Datasheet (PDF)

1.1. nvb25p06.pdf Size:125K _update_mosfet

NVB25P06
NVB25P06

NTB25P06, NVB25P06 Power MOSFET -60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAK Designed for low voltage, high speed switching applications and to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. Features http://onsemi.com • AEC Q101 Qualified - NVB25P06 • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Typical Applications -60 V 65 mW @ -10 V -27.5 A

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top