Справочник MOSFET. NVB5404N

 

NVB5404N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NVB5404N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 254 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 167 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 125 nC
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1075 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для NVB5404N

 

 

NVB5404N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:77K  onsemi
 nvb5404n.pdf

NVB5404N NVB5404N

NTB5404N, NTP5404N,NVB5404NPower MOSFET40 V, 167 A, Single N-Channel, D2PAK &TO-220Featureswww.onsemi.com Low RDS(on) High Current CapabilityID MAXV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) Low Gate Charge AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVB5404N 40 V 4.5 mW @ 10 V 167 A These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantDApplications Electronic Brake Sys

 9.1. Size:142K  onsemi
 nvb5426n.pdf

NVB5404N NVB5404N

NTB5426N, NTP5426N,NVB5426NPower MOSFET120 Amps, 60 VoltsN-Channel D2PAK, TO-220http://onsemi.comFeatures Low RDS(on)ID MAX High Current CapabilityV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) Avalanche Energy Specified60 V 6.0 mW @ 10 V 120 A AEC Q101 Qualified - NVB5426N These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantApplications N-Channel Power Supplies D

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top