Справочник MOSFET. NVB5404N

 

NVB5404N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVB5404N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 254 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 167 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1075 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для NVB5404N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVB5404N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:77K  onsemi
 nvb5404n.pdf pdf_icon

NVB5404N

NTB5404N, NTP5404N,NVB5404NPower MOSFET40 V, 167 A, Single N-Channel, D2PAK &TO-220Featureswww.onsemi.com Low RDS(on) High Current CapabilityID MAXV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) Low Gate Charge AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVB5404N 40 V 4.5 mW @ 10 V 167 A These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantDApplications Electronic Brake Sys

 9.1. Size:142K  onsemi
 nvb5426n.pdf pdf_icon

NVB5404N

NTB5426N, NTP5426N,NVB5426NPower MOSFET120 Amps, 60 VoltsN-Channel D2PAK, TO-220http://onsemi.comFeatures Low RDS(on)ID MAX High Current CapabilityV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) Avalanche Energy Specified60 V 6.0 mW @ 10 V 120 A AEC Q101 Qualified - NVB5426N These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantApplications N-Channel Power Supplies D

Другие MOSFET... LS371 , LSI1012XT1G , LXP152ALT1G , NUS5530MNR2G , NVA4001N , NVA4153N , NVA7002NT1G , NVB25P06 , 10N65 , NVB5426N , NVB5860N , NVB5860NL , NVB60N06 , NVB6410AN , NVB6411AN , NVB6412AN , NVB6413AN .

History: 2SK2820 | SUD50N02-06 | 10N65AF | SWB076R68E7T | FQP10N20CTSTU | BL8N60-A | TSF7N65M

 

 
Back to Top

 


 
.