Справочник MOSFET. PHB8N50E

 

PHB8N50E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHB8N50E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: SOT404
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB8N50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  philips
 php8n50e phb8n50e phw8n50e.pdf pdf_icon

PHB8N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP8N50E, PHB8N50E, PHW8N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 8.5 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.85 sGENERAL DESCRIPTIONN-c

 9.1. Size:90K  philips
 php8nd50e phb8nd50e phw8nd50e.pdf pdf_icon

PHB8N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP8ND50E, PHB8ND50E, PHW8ND50E FREDFET, Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated VDSS = 500 V Fast switching Stable off-state characteristics ID = 8.5 A High thermal cycling performanceg Low thermal resistance RDS(ON) 0.85 Fast reverse

Другие MOSFET... PHB65N06LT , PHB69N03LT , PHB6N50E , PHB6N60E , PHB6ND50E , PHB7N60E , PHB80N06LT , PHB87N03LT , 4N60 , PHB8ND50E , PHB9N60E , PHD10N10E , PHD12N10E , PHD2N50E , PHD2N60E , PHD3055E , PHD3N40E .

History: SM3106NSF | WMJ38N60C2 | IRF740APBF | S10H06RN | AO6804A | RJK1209JPE | HGT019N08A

 

 
Back to Top

 


 
.