Справочник MOSFET. NVB6412AN

 

NVB6412AN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVB6412AN
   Маркировка: 6412AN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 73 nC
   trⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0182 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NVB6412AN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:77K  onsemi
 nvb6412an.pdf pdf_icon

NVB6412AN

NTB6412AN, NTP6412AN,NVB6412ANN-Channel Power MOSFET100 V, 58 A, 18.2 mWFeatures Low RDS(on)www.onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101100 V 18.2 mW @ 10 V 58 AQualified and PPAP Capable Th

 ..2. Size:271K  onsemi
 ntb6412an ntp6412an nvb6412an.pdf pdf_icon

NVB6412AN

NTB6412AN, NTP6412AN,NVB6412ANN-Channel Power MOSFET100 V, 58 A, 18.2 mWFeatures Low RDS(on)www.onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101100 V 18.2 mW @ 10 V 58 AQualified and PPAP Capable Th

 8.1. Size:77K  onsemi
 nvb6410an.pdf pdf_icon

NVB6412AN

NTB6410AN, NTP6410AN,NVB6410ANN-Channel Power MOSFET100 V, 76 A, 13 mWFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on) High Current CapabilityID MAX 100% Avalanche TestedV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring100 V 13 mW @ 10 V 76 AUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP CapableN-Channel

 8.2. Size:81K  onsemi
 ntb6410an ntp6410an nvb6410an.pdf pdf_icon

NVB6412AN

NTB6410AN, NTP6410AN,NVB6410ANN-Channel Power MOSFET100 V, 76 A, 13 mWFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on) High Current CapabilityID MAX 100% Avalanche TestedV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring100 V 13 mW @ 10 V 76 AUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP CapableN-Channel

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: UTT30P06G-TQ2-T | IPP100N12S3-05 | IRFU13N20D | NCE70N290K | SI5N60L-TN3-T | HUFA75329D3

 

 
Back to Top

 


 
.